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臺(tái)積電宣布，與意法半導(dǎo)體合作加速市場(chǎng)采用氮化鎵產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候?qū)⑹着鷺悠方唤o其主要客戶(hù)。臺(tái)積電與意法半導(dǎo)體將合作加速氮化鎵（Gallium Nitride, GaN）制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)，并將分離式與整合式氮化鎵元件導(dǎo)入市常透過(guò)此合作，意法半導(dǎo)體將采用臺(tái)積公司的氮化鎵制程技術(shù)來(lái)生產(chǎn)其氮化鎵產(chǎn)品。
整個(gè)硅產(chǎn)業(yè)來(lái)講，氮化鎵只占整個(gè)半導(dǎo)體材料中的很小一部分，射頻領(lǐng)域是它的一個(gè)主要應(yīng)用方向，目前仍舊主要應(yīng)用在軍工領(lǐng)域，2019年氮化鎵行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模約為9.34億元，未來(lái)隨著5G網(wǎng)絡(luò)推廣，市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)迅速增長(zhǎng)。
氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料（又稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體材料）。氮化鎵的禁帶寬度、電子飽和遷移速度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)和工作溫度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于 Si和 GaAs，具有作為電力電子器件和射頻器件的先天優(yōu)勢(shì)。但是從市場(chǎng)應(yīng)用來(lái)看，氮化鎵還處于初級(jí)階段，隨著氮化鎵技術(shù)的不斷成熟，應(yīng)用領(lǐng)域的拓展不斷加速，未來(lái)我國(guó)氮化鎵行業(yè)市場(chǎng)投資將不斷加速，預(yù)計(jì)未來(lái)幾年的投資增速保持高速發(fā)展。
