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全球集成電路制造干法刻蝕設(shè)備行業(yè)規(guī)模整體擴(kuò)大 中國(guó)市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化有待提高

1、干法刻蝕逐漸成為集成電路制造刻蝕設(shè)備行業(yè)主流

刻蝕是指通過(guò)溶液、離子等方式剝離移除如硅、金屬材料、介質(zhì)材料等晶圓表面材料,從而達(dá)到集成電路芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)要求的一種工藝流程。從工藝技術(shù)來(lái)看,刻蝕可分為濕法刻蝕(Wet Etching)和干法刻蝕(DryEtching)兩類。80 年代之后,隨著集成電路工藝制程的逐漸升級(jí)以及芯片結(jié)構(gòu)尺寸的不斷縮進(jìn),濕法刻蝕在線寬控制、刻蝕方向性方面的局限性逐漸顯現(xiàn),并逐漸被干法刻蝕取代,目前僅用于特殊材料層的去除和殘留物的清洗。

干法刻蝕則是運(yùn)用等離子體產(chǎn)生帶電離子以及具有高濃度化學(xué)活性的中性原子和自由基,通過(guò)這些粒子與晶圓產(chǎn)生物理和化學(xué)反應(yīng),從而將光刻圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。相比濕法刻蝕,干法刻蝕精確度、潔凈度更高,因此隨著芯片技術(shù)進(jìn)入納米階段,干法刻蝕逐漸成為主流,但設(shè)備復(fù)雜度和成本也較高。

2、中國(guó)是全球最大的集成電路市場(chǎng)之一,刻蝕設(shè)備需求規(guī)模龐大

根據(jù)觀研報(bào)告網(wǎng)發(fā)布的《中國(guó)集成電路制造干法刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展深度研究與投資前景分析報(bào)告(2025-2032年)》顯示,近年來(lái),全球及中國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大,尤其是在5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等技術(shù)的推動(dòng)下,集成電路在通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。而中國(guó)作為全球最大的集成電路市場(chǎng)之一,其銷售額持續(xù)增長(zhǎng),預(yù)計(jì)未來(lái)幾年市場(chǎng)規(guī)模將繼續(xù)擴(kuò)大。

根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,2023年中國(guó)集成電路行業(yè)銷售規(guī)模為12276.9億元,預(yù)計(jì)2024年銷售規(guī)模將達(dá)到12890.7億元;2023年中國(guó)集成電路產(chǎn)量為3514.35億塊,2025年預(yù)計(jì)為集成電路產(chǎn)量約為5191億塊。

根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,2023年中國(guó)集成電路行業(yè)銷售規(guī)模為12276.9億元,預(yù)計(jì)2024年銷售規(guī)模將達(dá)到12890.7億元;2023年中國(guó)集成電路產(chǎn)量為3514.35億塊,2025年預(yù)計(jì)為集成電路產(chǎn)量約為5191億塊。

數(shù)據(jù)來(lái)源:觀研天下整理

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3、全球集成電路制造干法刻蝕設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模整體擴(kuò)大

隨著集成電路行業(yè)的不斷發(fā)展,集成電路制造產(chǎn)業(yè)對(duì)于刻蝕工藝的復(fù)雜度要求不斷上升,刻蝕技術(shù)也在不斷地演進(jìn):主要運(yùn)用設(shè)備已從只能進(jìn)行有限控制的圓筒式刻蝕機(jī),發(fā)展至集成刻蝕參數(shù)控制軟件的現(xiàn)代等離子體刻蝕機(jī)。根據(jù)數(shù)據(jù),2021年,全球集成電路制造干法刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模199.24億美元,同比增長(zhǎng)45.63%,在全球集成電路制造設(shè)備市場(chǎng)的規(guī)模占比達(dá)21.58%;2022年,全球集成電路制造干法刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)至240.98億美元,增長(zhǎng)率約為20.95%。而我國(guó)作為全球最大集成電路市場(chǎng)之一,集成電路制造干法刻蝕設(shè)備行業(yè)規(guī)模也將隨之上升。

隨著集成電路行業(yè)的不斷發(fā)展,集成電路制造產(chǎn)業(yè)對(duì)于刻蝕工藝的復(fù)雜度要求不斷上升,刻蝕技術(shù)也在不斷地演進(jìn):主要運(yùn)用設(shè)備已從只能進(jìn)行有限控制的圓筒式刻蝕機(jī),發(fā)展至集成刻蝕參數(shù)控制軟件的現(xiàn)代等離子體刻蝕機(jī)。根據(jù)數(shù)據(jù),2021年,全球集成電路制造干法刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模199.24億美元,同比增長(zhǎng)45.63%,在全球集成電路制造設(shè)備市場(chǎng)的規(guī)模占比達(dá)21.58%;2022年,全球集成電路制造干法刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)至240.98億美元,增長(zhǎng)率約為20.95%。而我國(guó)作為全球最大集成電路市場(chǎng)之一,集成電路制造干法刻蝕設(shè)備行業(yè)規(guī)模也將隨之上升。

數(shù)據(jù)來(lái)源:觀研天下整理

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4、我國(guó)集成電路制造干法刻蝕設(shè)備行業(yè)國(guó)產(chǎn)化有待提高

在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)方面,由于刻蝕工藝復(fù)雜、技術(shù)壁壘高,早期進(jìn)入市場(chǎng)的國(guó)際巨頭如泛林半導(dǎo)體、東京電子、應(yīng)用材料等擁有領(lǐng)先的技術(shù)工藝及客戶資源,占據(jù)全球主要市場(chǎng)份額。根據(jù)數(shù)據(jù),2023年,全球集成電路制造干法刻蝕設(shè)備行業(yè)前三大廠商泛林半導(dǎo)體、東京電子及應(yīng)用材料合計(jì)占83.95%的市場(chǎng)份額,市場(chǎng)格局高度集中,寡頭壟斷現(xiàn)狀較難打破。

在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)方面,由于刻蝕工藝復(fù)雜、技術(shù)壁壘高,早期進(jìn)入市場(chǎng)的國(guó)際巨頭如泛林半導(dǎo)體、東京電子、應(yīng)用材料等擁有領(lǐng)先的技術(shù)工藝及客戶資源,占據(jù)全球主要市場(chǎng)份額。根據(jù)數(shù)據(jù),2023年,全球集成電路制造干法刻蝕設(shè)備行業(yè)前三大廠商泛林半導(dǎo)體、東京電子及應(yīng)用材料合計(jì)占83.95%的市場(chǎng)份額,市場(chǎng)格局高度集中,寡頭壟斷現(xiàn)狀較難打破。

數(shù)據(jù)來(lái)源:觀研天下整理

而我國(guó)集成電路制造干法刻蝕設(shè)備行業(yè)起步較晚,國(guó)內(nèi)主要廠商如中微公司、北方華創(chuàng)、屹唐半導(dǎo)體等企業(yè)尚處于追趕階段,全球市場(chǎng)占有率較低,可見國(guó)內(nèi)仍有較大的發(fā)展空間。(WYD)

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我國(guó)單列圓錐滾子軸承(TRB)行業(yè)分析:市場(chǎng)有望量?jī)r(jià)齊升 需求規(guī)模超萬(wàn)只

我國(guó)單列圓錐滾子軸承(TRB)行業(yè)分析:市場(chǎng)有望量?jī)r(jià)齊升 需求規(guī)模超萬(wàn)只

2025年作為“十四五”的收官之年,大基地、海風(fēng)項(xiàng)目的集中并網(wǎng),并且風(fēng)電產(chǎn)業(yè)鏈“內(nèi)卷”緩解,單列圓錐滾子軸承(TRB)市場(chǎng)有望量?jī)r(jià)齊升。此外,風(fēng)電機(jī)組大型化趨勢(shì)明顯,TRB主軸需求爆發(fā),預(yù)計(jì)2025年有望超過(guò)一萬(wàn)只。

2025年04月17日
晶圓級(jí)封裝(WLCSP)行業(yè)分析:全球供給有限 車規(guī)CIS成市場(chǎng)需求擴(kuò)張新引擎

晶圓級(jí)封裝(WLCSP)行業(yè)分析:全球供給有限 車規(guī)CIS成市場(chǎng)需求擴(kuò)張新引擎

近年來(lái),隨著各國(guó)對(duì)L3及以上乘用車實(shí)施政策和法規(guī),智能駕駛加速滲透,對(duì)車用影像傳感芯片市場(chǎng)的需求不斷上升,所以車規(guī)CIS成WLCSP行業(yè)需求擴(kuò)張新引擎。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,2023年,全球汽車CIS出貨量為354百萬(wàn)顆,同比增長(zhǎng)10,預(yù)計(jì)2029年出貨量將達(dá)到755百萬(wàn)顆,同比增長(zhǎng)約為16%。

2025年04月16日
我國(guó)半導(dǎo)體掩膜版市場(chǎng)規(guī)模增速快于全球 但國(guó)產(chǎn)化率較低 晶圓廠自建廠占主要市場(chǎng)

我國(guó)半導(dǎo)體掩膜版市場(chǎng)規(guī)模增速快于全球 但國(guó)產(chǎn)化率較低 晶圓廠自建廠占主要市場(chǎng)

半導(dǎo)體掩膜版為掩膜版最大細(xì)分市場(chǎng),占比遠(yuǎn)高于LCD、OLED、PCB掩膜版。掩膜版是半導(dǎo)體晶圓制造的關(guān)鍵的材料,隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國(guó)轉(zhuǎn)移,芯片制程微型化、特色工藝多樣化、晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)催生半導(dǎo)體掩模版需求,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體掩膜版市場(chǎng)規(guī)模增速已快于全球。

2025年04月15日
智能手機(jī)電子硬件代工行業(yè):IDH和ODM滲透率提升空間大 市場(chǎng)呈三強(qiáng)爭(zhēng)霸格局

智能手機(jī)電子硬件代工行業(yè):IDH和ODM滲透率提升空間大 市場(chǎng)呈三強(qiáng)爭(zhēng)霸格局

在發(fā)展初期,我國(guó)電子硬件代工以IDH 模式為主,隨著IDH領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈以及品牌廠商要求提高,一些同時(shí)具備研發(fā)設(shè)計(jì)能力、生產(chǎn)能力、管理能力和資金實(shí)力的產(chǎn)品設(shè)計(jì)生產(chǎn)服務(wù)商逐漸從 IDH 模式轉(zhuǎn)型為 ODM 模式。

2025年04月14日
新型應(yīng)用拉動(dòng)全球NOR Flash行業(yè)復(fù)蘇 產(chǎn)品趨向大容量 市場(chǎng)被寡頭壟斷并向中國(guó)企業(yè)傾斜

新型應(yīng)用拉動(dòng)全球NOR Flash行業(yè)復(fù)蘇 產(chǎn)品趨向大容量 市場(chǎng)被寡頭壟斷并向中國(guó)企業(yè)傾斜

隨著智能手機(jī)持續(xù)取代功能機(jī),其更多使用容量更大、成本更具優(yōu)勢(shì)的NAND Flash,導(dǎo)致2006-2016年全球NOR Flash市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)萎縮。2017 年以來(lái),TWS耳機(jī)、AMOLED、物聯(lián)網(wǎng)等新型應(yīng)用逐漸拉動(dòng)市場(chǎng)需求,NOR Flash行業(yè)復(fù)蘇。隨著自動(dòng)駕駛、智能網(wǎng)聯(lián)汽車以及工業(yè)4.0的快速發(fā)展,大容量存儲(chǔ)已成

2025年04月11日
多晶硅行業(yè):中國(guó)在全球供應(yīng)鏈中統(tǒng)治地位持續(xù)強(qiáng)化 市場(chǎng)需求旺盛但價(jià)格承壓下行

多晶硅行業(yè):中國(guó)在全球供應(yīng)鏈中統(tǒng)治地位持續(xù)強(qiáng)化 市場(chǎng)需求旺盛但價(jià)格承壓下行

在光伏行業(yè)快速發(fā)展驅(qū)動(dòng)下,近年來(lái)我國(guó)多晶硅產(chǎn)能和產(chǎn)量快速增長(zhǎng);同時(shí)我國(guó)在全球多晶硅供應(yīng)鏈中的統(tǒng)治地位持續(xù)強(qiáng)化,產(chǎn)能和產(chǎn)量在全球市場(chǎng)中的占比不斷提升,受市場(chǎng)供需錯(cuò)配加劇等因素影響,2024年我國(guó)多晶硅價(jià)格承壓下行,同比下降39.5%。我國(guó)多晶硅行業(yè)雖維持較高集中度格局,但自2022年起,隨著新玩家產(chǎn)能釋放,其集中度逐漸下

2025年04月11日
NOR Flash行業(yè)分析:全球存量規(guī)模擴(kuò)大 消費(fèi)電子、汽車電子等需求潛力不斷釋放

NOR Flash行業(yè)分析:全球存量規(guī)模擴(kuò)大 消費(fèi)電子、汽車電子等需求潛力不斷釋放

長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看,全球NOR Flash行業(yè)被廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等領(lǐng)域,其中消費(fèi)電子、汽車電子和工業(yè)控制等成為應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展方向。

2025年04月10日
從美國(guó)“對(duì)等關(guān)稅”措施簡(jiǎn)析我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)現(xiàn)狀——國(guó)內(nèi)自主可控已有一定基礎(chǔ)

從美國(guó)“對(duì)等關(guān)稅”措施簡(jiǎn)析我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)現(xiàn)狀——國(guó)內(nèi)自主可控已有一定基礎(chǔ)

2025年4月2日,美國(guó)總統(tǒng)特朗普在白宮簽署兩項(xiàng)關(guān)于所謂“對(duì)等關(guān)稅”的行政令,宣布美國(guó)對(duì)貿(mào)易伙伴設(shè)立10%的“最低基準(zhǔn)關(guān)稅”,并對(duì)某些貿(mào)易伙伴征收更高關(guān)稅。其中,對(duì)中國(guó)實(shí)施34%的對(duì)等關(guān)稅,對(duì)歐盟實(shí)施的對(duì)等關(guān)稅為20%,對(duì)日本、韓國(guó)分別實(shí)施的對(duì)等關(guān)稅為24%、25%。白宮表示,基準(zhǔn)關(guān)稅稅率將于4月5日凌晨生效,對(duì)等關(guān)稅

2025年04月09日
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