存儲(chǔ)芯片行業(yè)：AI提振專用型存儲(chǔ)景氣度 中國(guó)模組廠競(jìng)爭(zhēng)力顯著提升

一、存儲(chǔ)芯片是集成電路重要基礎(chǔ)產(chǎn)品之一，市場(chǎng)占比達(dá)三成

存儲(chǔ)芯片，又稱半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，是指利用磁性材料或半導(dǎo)體等材料作為介質(zhì)進(jìn)行信息存儲(chǔ)的器件，其存儲(chǔ)與讀取過程體現(xiàn)為電荷的貯存或釋放。

存儲(chǔ)芯片是電子系統(tǒng)中存儲(chǔ)和計(jì)算數(shù)據(jù)的載體，是應(yīng)用面最廣、市場(chǎng)比例最高的集成電路基礎(chǔ)性產(chǎn)品之一。2024年全球集成電路市場(chǎng)規(guī)模為5395.05億美元，其中存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模大幅增長(zhǎng)79.3%至1655.16億美元，占集成電路的比重達(dá) 30.7%。

數(shù)據(jù)來源：觀研天下數(shù)據(jù)中心整理

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二、DRAM 與NAND Flash為存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)核心組成，AI需求升級(jí)提振NOR Flash等專用型存儲(chǔ)景氣度

按照是否需要持續(xù)通電以維持?jǐn)?shù)據(jù)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)和非易失性存儲(chǔ)。其中易失存儲(chǔ)芯片主要包含靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）；非易失性存儲(chǔ)器主要包括可編程只讀存儲(chǔ)器（PROM），閃存存儲(chǔ)器（Flash）和可擦除可編程只讀寄存器（EPROM/EEPROM）等。

DRAM 與NAND Flash是存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)核心組成。2024 年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模達(dá)970 億美元，占比57.1%，NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模為680 億美元，占比40.0%，兩者合計(jì)占據(jù)95%以上市場(chǎng)份額。

根據(jù)觀研報(bào)告網(wǎng)發(fā)布的《中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀研究與投資前景預(yù)測(cè)報(bào)告（2025-2032年）》顯示，全球進(jìn)入智能化時(shí)代，存儲(chǔ)芯片主要驅(qū)動(dòng)力來自數(shù)據(jù)中心的 AI 訓(xùn)練需求。AI 在各類應(yīng)用場(chǎng)景快速普及，對(duì)存儲(chǔ)芯片提出更高要求。上游算力方面，AI 服務(wù)器的訓(xùn)練與推理對(duì)高性能、低延遲存儲(chǔ)解決方案的依賴日益增強(qiáng)，帶動(dòng)存儲(chǔ)器在帶寬、容量及功耗等方面持續(xù)優(yōu)化；下游終端方面，隨著 AI 從云端向端側(cè)滲透，智能手機(jī)、PC、AI 眼鏡、智能汽車等終端對(duì)更大容量、更高帶寬、更低功耗的存儲(chǔ)需求顯著提升，帶動(dòng)NOR Flash、SLC NAND、利基型 DRAM等專用型存儲(chǔ)快速擴(kuò)容。

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三、全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)由韓、美、日等國(guó)家晶圓原廠主導(dǎo)，中國(guó)模組廠競(jìng)爭(zhēng)力顯著提升

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈從上至下分別為：晶圓廠、主控芯片、封裝測(cè)試、存儲(chǔ)模組與產(chǎn)品供應(yīng)商、存儲(chǔ)品牌商、下游具體應(yīng)用場(chǎng)景等。其中，上游晶圓廠即存儲(chǔ)“原廠”，是業(yè)內(nèi)對(duì)具備自有晶圓制造能力的存儲(chǔ)芯片廠商的通稱，掌握核心顆粒（Die）的制造權(quán)，如三星、美光、海力士、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等。原廠擁有晶圓制造能力，掌握制程工藝、架構(gòu)設(shè)計(jì)等核心技術(shù)，是存儲(chǔ)芯片性能、壽命、功耗等指標(biāo)的決定者，同時(shí)控制著行業(yè)最關(guān)鍵的產(chǎn)能資源和話語(yǔ)權(quán)。

全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)由韓、美、日等國(guó)家的晶圓原廠主導(dǎo)。DRAM 方面，2025年Q2,全球前三大廠商--韓國(guó)SK 海力士、韓國(guó)三星、美國(guó)美光總市占率達(dá)93.7%；NAND Flash 方面，2025年Q1，全球前五大廠商--韓國(guó)三星、韓國(guó)SK 集團(tuán)、美國(guó)美光、日本鎧俠、美國(guó)閃迪總市占率達(dá)91.3%。

數(shù)據(jù)來源：觀研天下數(shù)據(jù)中心整理

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第三方獨(dú)立模組供應(yīng)商以定制化優(yōu)勢(shì)突圍。相比大型存儲(chǔ)原廠，第三方模組廠商缺乏晶圓制造能力，而是從三星、美光、SK 海力士等原廠采購(gòu)DRAM/NAND 顆粒，再搭配主控芯片與 PCB 封裝為標(biāo)準(zhǔn)化或定制化模組產(chǎn)品（如SSD、U盤、內(nèi)存條等）。由于難以與原廠在大客戶市場(chǎng)進(jìn)行正面競(jìng)爭(zhēng)，模組廠通常通過靈活的小批量、多品類產(chǎn)品切入市場(chǎng)，更多聚焦于消費(fèi)電子配件、工控、安防、車載電子、渠道分銷等細(xì)分領(lǐng)域，以滿足下游細(xì)分客戶充分且廣泛的定制化需求。

其中國(guó)產(chǎn)模組廠競(jìng)爭(zhēng)力顯著提升。江波龍 2024 年財(cái)報(bào)顯示，其國(guó)產(chǎn)顆粒（長(zhǎng)江存儲(chǔ) NAND、長(zhǎng)鑫 DRAM）采購(gòu)比例已超 60%。佰維存儲(chǔ)、德明利等廠商通過綁定長(zhǎng)江存儲(chǔ) 232 層 3D NAND 顆粒，在消費(fèi)級(jí) SSD 市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)成本優(yōu)勢(shì)，2024 年國(guó)產(chǎn)顆粒在模組廠總采購(gòu)量中的占比預(yù)計(jì)突破 55%。

2024 年國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)模組市場(chǎng)中，江波龍、佰維存儲(chǔ)、德明利、朗科、嘉合勁威合計(jì)占據(jù) 65%市場(chǎng)份額，較 2022 年提升 18 個(gè)百分點(diǎn)，國(guó)外傳統(tǒng)龍頭金士頓、威剛在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額則從 2022 年的 45% 降至 2024 年的 32%。

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