1、全球集成電路熱處理設備行業(yè)市場規(guī)模整體上升
根據(jù)觀研報告網(wǎng)發(fā)布的《中國集成電路熱處理設備行業(yè)發(fā)展趨勢研究與未來投資分析報告（2025-2032年）》顯示，集成電路熱處理設備是半導體制造中的關鍵工藝設備，主要用于晶圓的退火、氧化、擴散、合金化等高溫處理環(huán)節(jié)，直接影響芯片的電學性能和可靠性。近年來，先進尖峰退火、激光/閃光毫秒退火在內的快速熱處理技術越來越受到集成電路制造廠商的關注，其市場規(guī)模也整體上升趨勢。
根據(jù)數(shù)據(jù)，2021年，全球熱處理設備市場規(guī)模26.42億美元，其中快速熱處理設備市場規(guī)模為12.13億美元，氧化/擴散設備市場規(guī)模約8.83億美元，柵極堆疊（Gate Stack）設備市場規(guī)模為 5.46 億美元；2022年，全球快速熱處理設備市場規(guī)模有望達到13.85億美元。
數(shù)據(jù)來源：觀研天下整理
數(shù)據(jù)來源：觀研天下整理
集成電路熱處理設備
而中國占據(jù)著全球集成電路熱處理設備行業(yè)的25%，并且受益于晶圓廠擴產(chǎn)、國產(chǎn)替代需求、政策支持、存儲芯片擴產(chǎn)以及功率半導體崛起等因素影響將快速發(fā)展。
我國集成電路熱處理設備行業(yè)發(fā)展驅動因素分析
資料來源：觀研天下整理
3、晶圓廠商產(chǎn)能積極擴產(chǎn)，帶動集成電路熱處理設備行業(yè)需求上升
在晶圓擴產(chǎn)方面，近年來，國內晶圓代工企業(yè)接連宣布投資建造或規(guī)劃建設新產(chǎn)線，以擴大晶圓產(chǎn)能，從而帶動了集成電路熱處理設備市場需求快速增長。例如，中芯國際（SMIC）的14nm FinFET技術已量產(chǎn)，但受設備限制難以擴產(chǎn)；重點轉向28nm及以上成熟制程（占營收80%以上）。同時，中芯國際（SMIC）與亦莊國投合作建設12英寸廠（28nm及以上制程），規(guī)劃月產(chǎn)能10萬片；在上海，臨港基地投資89億美元建12英寸廠，聚焦28nm及以上成熟制程，目標月產(chǎn)能10萬片。
我國晶圓廠商產(chǎn)能規(guī)劃擴張情況
|
企業(yè)名稱 |
產(chǎn)能擴張 |
技術節(jié)點 |
|
中芯國際（SMIC） |
北京：與亦莊國投合作建設12英寸廠（28nm及以上制程），規(guī)劃月產(chǎn)能10萬片。 |
技術節(jié)點：14nmFinFET技術已量產(chǎn)，但受設備限制難以擴產(chǎn)；重點轉向28nm及以上成熟制程（占營收80%以上）。 |
|
上海：臨港基地投資89億美元建12英寸廠，聚焦28nm及以上成熟制程，目標月產(chǎn)能10萬片。 |
||
|
深圳：與深圳政府合資建廠（28nm及以上），規(guī)劃月產(chǎn)能4萬片。 |
||
|
天津：擴建12英寸廠，新增10萬片/月產(chǎn)能（2023年啟動）。 |
||
|
華虹半導體 |
無錫基地：一期12英寸廠（55nm-28nm特色工藝）已滿產(chǎn)，月產(chǎn)能9.5萬片；二期投資67億美元擴產(chǎn)，2024年底投產(chǎn)后總產(chǎn)能將達20萬片/月。 |
技術方向：深耕嵌入式存儲、功率器件、MCU等特色工藝，避開先進制程競爭。 |
|
粵芯半導體（廣州） |
三期規(guī)劃：一期（180-90nm模擬芯片）已投產(chǎn)，月產(chǎn)能4萬片；二期（55nm-40nm）2023年量產(chǎn)，三期（12英寸12nm）投資162億元，聚焦車規(guī)級芯片。 |
/ |
|
積塔半導體（上海） |
臨港基地：擴產(chǎn)車規(guī)級芯片（IGBT、SiC等），目標月產(chǎn)能10萬片（12英寸）。 |
技術特色：專注功率半導體和第三代半導體，適配新能源汽車需求。 |
|
長江存儲（YMTC） |
武漢基地：一期（3DNAND）月產(chǎn)能10萬片（128層/232層）；二期原計劃擴至30萬片/月，但因美國制裁推遲設備采購，產(chǎn)能爬坡放緩。 |
技術突破：全球首推Xtacking3.0架構（232層NAND），但量產(chǎn)受限。 |
|
長鑫存儲（CXMT） |
合肥基地：一期（19nmDRAM）月產(chǎn)能12萬片（等效8英寸）；二期規(guī)劃176層DRAM技術，2024年產(chǎn)能提升至18萬片/月。 |
/ |
|
士蘭微（SilanMicro） |
廈門基地：投資170億元建12英寸特色工藝產(chǎn)線（功率半導體、MEMS傳感器），規(guī)劃月產(chǎn)能8萬片。 |
/ |
|
華潤微電子（CRMicro） |
重慶基地：12英寸產(chǎn)線聚焦功率半導體（MOSFET、IGBT），2025年產(chǎn)能達3萬片/月；無錫基地：8英寸產(chǎn)線擴產(chǎn)至13萬片/月，主攻BCD工藝和MEMS。 |
/ |
|
芯恩半導體（青島） |
產(chǎn)能規(guī)劃：8英寸廠月產(chǎn)能3萬片（模擬/射頻芯片），12英寸廠規(guī)劃5萬片/月（28nm及以上邏輯芯片）。 |
技術路線：中國首個CIDM（共享式IDM）模式，整合設計-制造-應用。 |
資料來源：觀研天下整理
目前，我國晶圓代工主要形成了以上海為核心的長三角地區(qū)系、以北京為核心的環(huán)渤海地區(qū)以及以深圳為核心灣區(qū)。其中以上海為核心的長三角地區(qū)系是我國集成電路產(chǎn)業(yè)基礎最扎實、產(chǎn)業(yè)鏈布局最完整、技術積累最豐厚的區(qū)域，整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模占全國比約50%?；竞w各類原材料、半導體設備、芯片設計、芯片制造與封裝測試，尤以芯片設計、晶圓制造見長，擁有中芯國際、上海華虹、積塔半導體等國內晶圓代工領軍企業(yè)。
資料來源：觀研天下整理
隨著集成電路性能不斷提高的要求，快速熱退火技術在晶圓加工/集成電路制造中的競爭優(yōu)勢越來越明顯：相比普通爐管退火設備幾小時的加熱時長，快速熱退火設備只需幾秒甚至幾毫秒便可使晶圓上升至所需溫度，總體熱預算較低，可以更好地提高晶圓的性能，滿足先進集成電路制造的需求。（WYD）
【版權提示】觀研報告網(wǎng)倡導尊重與保護知識產(chǎn)權。未經(jīng)許可，任何人不得復制、轉載、或以其他方式使用本網(wǎng)站的內容。如發(fā)現(xiàn)本站文章存在版權問題，煩請?zhí)峁┌鏅嘁蓡?、身份證明、版權證明、聯(lián)系方式等發(fā)郵件至kf@chinabaogao.com，我們將及時溝通與處理。
