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我國半導體去膠設(shè)備行業(yè):晶圓產(chǎn)能不斷擴充帶來廣闊需求 市場呈多寡頭壟斷格局

一、去膠工藝是半導體制造過程中的重要環(huán)節(jié)之一,主要分為濕法與干法兩類

根據(jù)觀研報告網(wǎng)發(fā)布的《中國半導體去膠設(shè)備行業(yè)發(fā)展深度分析與投資前景預測報告(2025-2032年)》顯示,在半導體制造工藝中,去膠工藝是不可或缺的一環(huán),是光刻工藝中的最后一步,其直接關(guān)系到芯片成品的質(zhì)量與性能。在光刻工藝中,去膠設(shè)備主要用于曝光后將光刻膠從晶圓上移除,以此來保證晶圓順利進入下一步制造步驟。

去膠工藝可分為濕法和干法兩類。其中濕法去膠工藝使用溶劑對光刻膠等進行溶解,不適合用于AI、Cu等制程的去膠;干法去膠工藝可視為等離子刻蝕技術(shù)的延伸,主要通過等離子體和薄膜材料的化學反應(yīng)完成,適用于絕大部分的去膠工藝,是當前的主流工藝。

去膠工藝可分為濕法和干法兩類。其中濕法去膠工藝使用溶劑對光刻膠等進行溶解,不適合用于AI、Cu等制程的去膠;干法去膠工藝可視為等離子刻蝕技術(shù)的延伸,主要通過等離子體和薄膜材料的化學反應(yīng)完成,適用于絕大部分的去膠工藝,是當前的主流工藝。

資料來源:公開資料,觀研天下整理

二、去膠設(shè)備是半導體設(shè)備重要的一個分支,擁有較大的發(fā)展空間

半導體去膠設(shè)備是指在半導體去膠工藝中所涉及到的設(shè)備總稱,是半導體設(shè)備重要的一個分支。半導體設(shè)備,作為高科技制造領(lǐng)域的關(guān)鍵一環(huán),涵蓋了晶圓制造、封裝測試等全流程所需的各種精密儀器。這些設(shè)備不僅對芯片的性能和成本產(chǎn)生直接影響,還是推動整個半導體行業(yè)技術(shù)進步和產(chǎn)業(yè)升級的重要基石。

近年來,在下游半導體行業(yè)發(fā)展帶動下,我國半導體設(shè)備市場規(guī)模整體擴大,并在 2020 年首次成為全球最大的半導體設(shè)備市場,銷售額增長 39%,達到 187.2億美元。到2023 年中國大陸半導體設(shè)備市場規(guī)模達到 366 億美元,仍然是全球最大的半導體設(shè)備市場。而結(jié)合全球半導體設(shè)備發(fā)展趨勢、我國半導體設(shè)備國產(chǎn)替代以及下游需求旺盛的多重作用,未來幾年我國半導體設(shè)備行業(yè)仍將保持高速增長態(tài)勢,保守預計2023—2028年,我國半導體設(shè)備行業(yè)市場規(guī)模將穩(wěn)步提升,保持在15%左右的復合增長率,到2028年,我國半導體設(shè)備市場規(guī)模將達到655億美元。可見,去膠設(shè)備作為半導體設(shè)備重要的一個分支,其擁有較大的發(fā)展空間。

近年來,在下游半導體行業(yè)發(fā)展帶動下,我國半導體設(shè)備市場規(guī)模整體擴大,并在 2020 年首次成為全球最大的半導體設(shè)備市場,銷售額增長 39%,達到 187.2億美元。到2023 年中國大陸半導體設(shè)備市場規(guī)模達到 366 億美元,仍然是全球最大的半導體設(shè)備市場。而結(jié)合全球半導體設(shè)備發(fā)展趨勢、我國半導體設(shè)備國產(chǎn)替代以及下游需求旺盛的多重作用,未來幾年我國半導體設(shè)備行業(yè)仍將保持高速增長態(tài)勢,保守預計2023—2028年,我國半導體設(shè)備行業(yè)市場規(guī)模將穩(wěn)步提升,保持在15%左右的復合增長率,到2028年,我國半導體設(shè)備市場規(guī)模將達到655億美元??梢?,去膠設(shè)備作為半導體設(shè)備重要的一個分支,其擁有較大的發(fā)展空間。

數(shù)據(jù)來源:公開數(shù)據(jù),觀研天下整理

三、半導體行業(yè)發(fā)展帶動半導體去膠設(shè)備發(fā)展

半導體去膠設(shè)備與半導體產(chǎn)業(yè)的繁榮狀況緊密相連。近年隨著半導體行業(yè)發(fā)展的帶動,半導體去膠設(shè)備也隨之發(fā)展。當今數(shù)字經(jīng)濟迅速發(fā)展,半導體行業(yè)作為現(xiàn)代科技與工業(yè)領(lǐng)域的核心基石,對全球經(jīng)濟和社會發(fā)展具有深遠影響,吸引了越來越多的投資者的關(guān)注。在此背景下,半導體去膠設(shè)備作為半導體行業(yè)的重要一個分支,未來也有著廣闊的發(fā)展空間。

近年來,由于美國等國家對我國半導體產(chǎn)業(yè)限制持續(xù)加劇以及終端應(yīng)用需求呈現(xiàn)周期性疲軟態(tài)勢,導致2022-2023年我國半導體市場規(guī)模存在不同程度的下降。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,2023年我國半導體市場規(guī)模達到1552億美元。

近年來,由于美國等國家對我國半導體產(chǎn)業(yè)限制持續(xù)加劇以及終端應(yīng)用需求呈現(xiàn)周期性疲軟態(tài)勢,導致2022-2023年我國半導體市場規(guī)模存在不同程度的下降。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,2023年我國半導體市場規(guī)模達到1552億美元。

數(shù)據(jù)來源:公開數(shù)據(jù),觀研天下整理

四、晶圓產(chǎn)能不斷擴充給去膠設(shè)備帶來廣闊市場需求

目前去膠設(shè)備主要應(yīng)用在集成電路中的前道芯片制造領(lǐng)域。據(jù)了解,集成電路制造設(shè)備通??煞譃榍暗拦に囋O(shè)備(芯片制造)和后道工藝設(shè)備(芯片封裝測試)兩大類。其中,前道芯片制造主要包括六大工藝步驟,分別為:熱處理(Thermal Process)、光刻(Photo-lithography)、刻蝕(Etch)、離子注入(Ion Implant)、薄膜沉積(Deposition)、機械拋光(CMP),所對應(yīng)的專用設(shè)備主要包括快速熱處理(RTP)/氧化/擴散設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕/去膠設(shè)備、離子注入設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、機械拋光設(shè)備等。

目前去膠設(shè)備主要應(yīng)用在集成電路中的前道芯片制造領(lǐng)域。據(jù)了解,集成電路制造設(shè)備通常可分為前道工藝設(shè)備(芯片制造)和后道工藝設(shè)備(芯片封裝測試)兩大類。其中,前道芯片制造主要包括六大工藝步驟,分別為:熱處理(Thermal Process)、光刻(Photo-lithography)、刻蝕(Etch)、離子注入(Ion Implant)、薄膜沉積(Deposition)、機械拋光(CMP),所對應(yīng)的專用設(shè)備主要包括快速熱處理(RTP)/氧化/擴散設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕/去膠設(shè)備、離子注入設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、機械拋光設(shè)備等。

資料來源:公開資料,觀研天下整理

近年來隨著下游應(yīng)用市場需求增加,加上各國貿(mào)易的不穩(wěn)定,全球芯片供需出現(xiàn)失衡,國內(nèi)晶圓代工企業(yè)接連宣布投資建造或規(guī)劃建設(shè)新產(chǎn)線,以擴大晶圓產(chǎn)能,從而帶動了半導體去交設(shè)備市場需求快速增長。數(shù)據(jù)顯示,截至2023年12月,我國內(nèi)地12英寸、8英寸和6英寸及以下的硅晶圓制造線共有210條。12英寸晶圓廠45座,規(guī)劃產(chǎn)能合計238萬片,8英寸晶圓廠34座,規(guī)劃產(chǎn)能合計168萬片,6英寸晶圓廠48座,規(guī)劃產(chǎn)能合計264萬片,5/4/3英寸晶圓廠63座,規(guī)劃產(chǎn)能合計730萬片。

2023年我國大陸晶圓制造產(chǎn)能分布

廠商

地點

晶圓廠

工藝制程

尺寸

規(guī)劃產(chǎn)能(萬片/月)

中芯國際

上海

中芯南方SN1

14nm FinFET

12

3.5

上海

中芯上海S1 Fab1

0.35um-90nm

8

13.5

上海

中芯上海S1 Fab2

0.35um-90nm

8

華虹集團

上海

華力一期Fab5

65nm/55nm 40nmLogic,RF, CIS,HV, eNVM

12

4

上海

華力二期Fab6

28nm/22nmLogic, RF, CIS, eNVM

12

4

上海

華虹宏力Fab1

1.0 μm-90nm eNVM,Discrete,BCD,Logic/RF,CIS

8

17

上海

華虹宏力Fab2

8

17.8

上海

華虹宏力Fab3

8

積塔半導體

上海

Fab6

55nm特色工藝先導線(一階段)40/28nm汽車電子芯片生產(chǎn)線(二階段)

12

5

上海

Fab5

0.35-0.11um,模擬、功率器件

8

8

上海

Fab3

0.5-2.5um BCD,數(shù)?;旌?/span>

8

3

上海

Fab2

1.0-0.8um BCD, IGBT

6

7

上海

Fab7

SiC MOSFET

6

3

鼎泰匠芯

上海

0.18/0.11umMOSFET,GBT,Logic,Analog

12

3

臺積電

上海

Fab10

0.35-0.18μm CMOS

8

12

中芯國際

北京

中芯北京B1 Fab4

90nm-55nm

12

6.5

中芯北方B2

65nm-28nm

12

10

中芯北方B3

65nm-28nm

12

中芯京城FAB3P1

65nm-28nm

12

10

燕東微

北京

65nm功率器件、顯示驅(qū)動、電源管理、硅光芯片

8

5

北京

90nm 以上MOSFET、IGBT、CMOS、BCDMEMS

8

3

賽微電子

北京

Fab3

0.25um-lum MEMS BAW

8

3

中芯國際

深圳

中芯深圳G2 Fab16

65nm-28nm

12

4

深圳

中芯深圳G1 Fab15

0.35μum-0.15μum

8

7

方正微

深圳

Fab1

DMOS、IGBT、SBDFRD、BiCMOSBCD、GaN,SiC

6

5

深圳

Fab2

DMOSIGBT、SBDFRD、BiCMOS、BCD、GaN,SiC

6

深愛半導體

深圳

DMOSMOSFET、IGBT,FTD, TVS, GaN, SiC

6

4

資料來源:公開資料,觀研天下整理

五、當前市場呈現(xiàn)多寡頭壟斷格局,CR5達到為93.5%

當前全球集成電路制造干法去膠設(shè)備領(lǐng)域呈現(xiàn)多寡頭競爭的發(fā)展趨勢,行業(yè)CR5在2023年超過 90%,比思科、屹唐半導體、泰仕半導體、愛發(fā)科、泛林半導體等為主要參與者。其中屹唐半導體憑借 34.60%的市場占有率位居全球第二,確立了在干法去膠設(shè)備細分市場中國際領(lǐng)先的行業(yè)地位。

當前全球集成電路制造干法去膠設(shè)備領(lǐng)域呈現(xiàn)多寡頭競爭的發(fā)展趨勢,行業(yè)CR5在2023年超過 90%,比思科、屹唐半導體、泰仕半導體、愛發(fā)科、泛林半導體等為主要參與者。其中屹唐半導體憑借 34.60%的市場占有率位居全球第二,確立了在干法去膠設(shè)備細分市場中國際領(lǐng)先的行業(yè)地位。

數(shù)據(jù)來源:公開數(shù)據(jù),觀研天下整理

在國內(nèi)市場上,集成電路制造干法去膠設(shè)備領(lǐng)域同樣也呈現(xiàn)多寡頭競爭態(tài)勢,多寡頭競爭超過90%。有數(shù)據(jù)顯示,2022年在我國干法去膠設(shè)備領(lǐng)域,前五大廠商的市場份額合計達到93.5%。這一數(shù)據(jù)表明,當前我國干法去膠設(shè)備領(lǐng)域市場高度集中。目前在我國干法去膠設(shè)備領(lǐng)域里,主要有屹唐半導體、中屹唐半導體等。(WW)

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全球人形機器人電機轉(zhuǎn)子行業(yè)分析:需求端量產(chǎn)元年或?qū)硪u 市場規(guī)模將持續(xù)上升

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2025年03月21日
我國工業(yè)傳感器行業(yè)市場規(guī)模不斷擴容但增速放緩 國產(chǎn)替代空間廣闊

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2025年03月21日
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2025年03月21日
我國LED芯片行業(yè)產(chǎn)能擴大 LED顯示領(lǐng)域為增長新動力 市場呈壟斷競爭局面

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近年來,隨著LED封裝市場復蘇,我國LED芯片產(chǎn)能擴大。LED芯片主要應(yīng)用于LED照明領(lǐng)域,半導體照明應(yīng)用需求快速上升后我國LED 芯片行業(yè)進入快速發(fā)展階段。目前LED照明領(lǐng)域?qū)ED芯片需求已趨向穩(wěn)定,顯示領(lǐng)域得益于技術(shù)迭代和更高的顯示需求,將成為LED芯片行業(yè)增長新動力。LED芯片制造流程較為復雜,行業(yè)集中度較高,

2025年03月19日
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近年來,得益于政策支持、技術(shù)創(chuàng)新、無人駕駛車隊規(guī)模擴張、高級輔助駕駛中激光雷達應(yīng)用滲透率提升、以及機器人與智慧城市建設(shè)等領(lǐng)域需求的推動,我國激光雷達行業(yè)駛?cè)肟燔嚨?,市場呈高速增長趨勢。數(shù)據(jù)顯示,2019-2023年我國激光雷達市場規(guī)模從16億元增長到144億元,年復合增長率為74%。預計2028年我國激光雷達市場規(guī)模有

2025年03月18日
中國高速成長為全球連接器最大市場 亞太地區(qū)逐漸占據(jù)主導 競爭呈寡占型格局

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2025年03月17日
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近年來,我國新能源汽車、光伏等新興領(lǐng)域快速發(fā)展,為碳化硅行業(yè)帶來廣闊的應(yīng)用空間。同時利好政策相繼發(fā)布,聚焦碳化硅技術(shù)研發(fā)、性能提升發(fā)展等方面,推動碳化硅行業(yè)發(fā)展。在這兩大因素推動下,2020-2023年我國碳化硅產(chǎn)量和市場規(guī)模不斷增長。此外,近年來我國碳化硅出口規(guī)模始終大于進口規(guī)模,維持凈出口和貿(mào)易順差局面。同時其進口

2025年03月17日
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