前言：在技術(shù)進步及市場需求推動下，全球IGBT市場持續(xù)擴大。從國內(nèi)市場看，近年來隨著政策支持力度加大，我國IGBT產(chǎn)量快速提升，但整體自給率水平仍相對較低。新能源汽車 IGBT 的價值分布呈現(xiàn)顯著的結(jié)構(gòu)性差異，其成本與車型定位、系統(tǒng)功率需求深度綁定。隨著中低端車型（20 萬元以下）占比逐步提升疊加智駕系統(tǒng)下沉中低端市場，我國IGBT 仍有較大的增長空間。目前海外廠商占據(jù)IGBT行業(yè)主導地位，中國廠商市場份額有待提升。
一、在技術(shù)進步及市場需求推動下，全球IGBT行業(yè)持續(xù)增長
觀研報告網(wǎng)發(fā)布的《中國IGBT行業(yè)現(xiàn)狀深度研究與發(fā)展前景分析報告（2025-2032年）》顯示，IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管，是一種由BJT和MOS組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件，在電路中作為電路開關(guān)，通過開關(guān)控制改變電壓，擁有柵極G、集電極C、與發(fā)射極E，由柵極與發(fā)射極之間的電壓決定其導通與關(guān)斷。
作為國家16個重大技術(shù)突破專項的重點支持對象，IGBT是目前功率半導體器件中發(fā)展速度最快的技術(shù)之一。IGBT兼具MOSFET及BJT兩類器件優(yōu)勢，廣泛應用于新能源汽車、通信、汽車電子、航空航天以及軍工等領(lǐng)域。
IGBT與MOSFET及BJT性能對比
| 特性 | BJT | MOSFET | IGBT |
| 驅(qū)動方法 | 電流 | 電壓 | 電壓 |
| 驅(qū)動電路 | 復雜 | 簡單 | 簡單 |
| 輸入阻抗 | 低 | 高 | 高 |
| 驅(qū)動功率 | 高 | 低 | 低 |
| 開關(guān)速度 | 慢 | 快 | 中 |
| 開關(guān)頻率 | 低 | 快 | 中 |
| 安全工作區(qū) | 窄 | 寬 | 寬 |
| 飽和電壓 | 低 | 高 | 低 |
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在技術(shù)進步及市場需求推動下，全球IGBT市場持續(xù)擴大。根據(jù)數(shù)據(jù)，2022年全球IGBT市場規(guī)模達68億美元，預計2025年全球IGBT市場規(guī)模達80億美元。
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二、政策支持推動我國IGBT產(chǎn)量快速增多，但整體自給率水平仍相對較低
IGBT行業(yè)技術(shù)門檻高，我國起步較晚，核心技術(shù)被國外企業(yè)壟斷，近年來隨著政策支持力度加大，我國IGBT產(chǎn)量快速提升。數(shù)據(jù)顯示，2019-2024年，我國IGBT 產(chǎn)量由1550 萬只增長至3900 萬只，CAGR 達20.27%。
我國IGBT行業(yè)相關(guān)政策
| 時間 | 政策 | 發(fā)布部門 | 主要內(nèi)容 |
| 2021.07 | 《關(guān)于加快培育發(fā)展制造業(yè)優(yōu)質(zhì)企業(yè)的指導意見》 | 工信部等六部門 | 開展協(xié)同創(chuàng)新，加大基礎零部件、基礎電子元器件、基礎軟件、基礎材料、基礎工藝、高端儀器設備、集成電路、網(wǎng)絡安全等領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)、產(chǎn)品、裝備攻關(guān)和示范應用 |
| 2021.01 | 《基礎電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃(2021-2021年)》 | 工信部 | 重點發(fā)展微型化、片式化阻容感元件，高頻率、高精度頻率元器件，耐高溫、耐高壓、低損耗、高可靠半導體分立器件及模塊，小型化、高可靠、高靈敏度電子防護器件，高性能、多功能、高密度混合集成電路 |
| 2020.09 | 《關(guān)于擴大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長點增長極的指導意見》 | 發(fā)改委 | 加快新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)提質(zhì)增效，加快基礎材料、關(guān)鍵芯片、高端元器件、新型顯示器件、關(guān)鍵軟件等核心技術(shù)攻關(guān) |
| 2020.08 | 《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》 | 國務院 | 國家鼓勵的經(jīng)營期在15年以上的集成電路生產(chǎn)企業(yè)或項目，分類免征、減征所得稅 |
| 2019.10 | 《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導目錄(2019年本)》 | 發(fā)改委 | 集成電路設計、新型電子元器件制造列入鼓勵類發(fā)展項目 |
| 2019.10 | 《關(guān)于政協(xié)十三屆全國委員會第二次會議第2282號(公交郵電類256號)提案答復的函》 | 工信部 | 持續(xù)推進工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展。通過行業(yè)協(xié)會等加大產(chǎn)業(yè)鏈合作力度，深入推進產(chǎn)學研用協(xié)同，促進我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的技術(shù)迭代和應用推廣 |
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盡管國內(nèi) IGBT 產(chǎn)量保持較高的增長態(tài)勢，但整體自給率水平仍相對較低，2023 年不足 35%。未來隨著新能源汽車等新興領(lǐng)域的需求崛起，中國 IGBT 廠商持續(xù)擴張產(chǎn)能，在技術(shù)不斷突破的加持下，憑借不弱的性能表現(xiàn)和較高的性價比優(yōu)勢，國產(chǎn)替代加速進行，自給率將逐步攀高。
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三、隨著中低端新能源車銷量占比提升及智駕系統(tǒng)下沉，我國IGBT 仍有較大增長空間
新能源汽車 IGBT 的價值分布呈現(xiàn)顯著的結(jié)構(gòu)性差異，其成本與車型定位、系統(tǒng)功率需求深度綁定。
從功能模塊來看，主驅(qū)電控系統(tǒng) IGBT 價值量約 1000 元，承擔電能轉(zhuǎn)換核心功能，OBC、空調(diào)壓縮機、電子助力轉(zhuǎn)向等子系統(tǒng) IGBT 價值量均低于300 元，合計占比約 25%-30%。
從車型來看，級別越高所搭載的功率模塊越多，價值量越高，A00/A0 級新能源汽車 IGBT 價值量為 600-900 元，15 萬車型 IGBT 價值量為 1000-1300 元，20-30 萬車型 IGBT 價值量為 2000-2600 元，高級車型 IGBT 價值量為 3000-3900 元。
不同車級 IGBT 價值量
| 不同車級 | 車型 | 電控/模塊方案 | 電控中功率模塊價值量 | OBC | 空調(diào)IGBT 單管 | 電子助力轉(zhuǎn)向 | 單車 IGBT 價值量 |
| A00/A0 級 EV | 代步車 | 1 個模塊 | 600-900 元 | 約 300元，SiCMOS 管滲透率逐步提升 | 約 100元，采用 IGBT單管/IPM | 約 200 元，MOS 單管也可應用 | 1200-1500 元 |
| A 級及以上 | 15 萬車型（兩驅(qū)車） | 單電控（1 個模塊） | 1000-1300 元 | 1600-1900 元 | |||
| 20 萬-30 萬車型 | 一般是四驅(qū)（前后各有一個電機，共 2 個模塊） | 2000-2600 元 | 2600-3200 元 | ||||
| 高級車型 | 前驅(qū)+后驅(qū)（前驅(qū) 1 個模塊，后驅(qū) 2 個模塊） | 3000-3900 元 | 3600-4500 元 | ||||
| 豪華電動（特斯拉 Model 3） | SiC 模塊（內(nèi)含 48 顆SiC MOSFET） | 4000-5000 元 | IGBT＞600 元，電控采用 SiC 模塊 | ||||
| 商用車 | 物流車 | 兩驅(qū)（3 個模塊） | 900-1000 元 | 1500-1600 元 | |||
| 8 米大巴車 | 四驅(qū)（6 個模塊，前后兩個電控，1 個電控 3 個模塊） | 2700-3000 元 | 3000-3600 元 | ||||
| 10 米大巴車 | 四驅(qū)（6 個模塊） | 約 3600 元 | 約 4200 元 |
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中低端車型（20 萬元以下）占比逐步提升，疊加智駕系統(tǒng)下沉中低端市場（如比亞迪今年全系車型將搭載天神之眼智駕系統(tǒng)，最低車型價格下探至 8 萬），車廠更加注重成本管控，中低端車型使用 SiC 的可能性較低，預計短期內(nèi)仍將使用成本較低的 IGBT，且中低端車型仍是主流車型價格區(qū)間，預計 2025 年 我國IGBT 仍有較大的增長空間。
數(shù)據(jù)來源：觀研天下數(shù)據(jù)中心整理
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四、海外廠商占據(jù)IGBT行業(yè)主導地位，中國廠商市場份額有待提升
海外廠商占據(jù)IGBT行業(yè)主導地位。分立式 IGBT CR10 約為 80%左右，其中英飛凌、富士電機、意法半導體等海外公司占據(jù)市場主要份額，僅有士蘭微一家中國企業(yè)。2019-2020 年IGBT 模塊Top 10 中除一家中國公司（斯達半導）外，其余均為海外企業(yè)。中國廠商市場份額有待提升。
2019-2022年全球IGBT市場份額TOP10
| 市場份額排名 | 2019年 | 2020年 | 2021年 | 2022年 | ||||
| 分立式 IGBT | IGBT 模塊 | 分立式 IGBT | IGBT 模塊 | 分立式 IGBT | IGBT 模塊 | 分立式 IGBT | IGBT 模塊 | |
| 1 | 英飛凌 | 英飛凌 | 英飛凌 | 英飛凌 | 英飛凌 | 英飛凌 | 英飛凌 | 英飛凌 |
| 市場份額 | 32.50% | 35.60% | 29.30% | 36.5% | 28.90% | 33% | 32.10% | 31.70% |
| 2 | 富士電機 | 三菱電機 | 富士電機 | 富士 | 富士電機 | 三菱電機 | 富士電機 | 11.90% |
| 市場份額 | 11.70% | 11.90% | 15.60% | 11.4% | 15.20% | 12.40% | 15.90% | 富士 |
| 3 | ON Semi | 富士 | 三菱電機 | 三菱電機 | 三菱電機 | 富士 | 意法半導體 | 11.70% |
| 市場份額 | 7.90% | 10.50% | 9.30% | 9.70% | 9.20% | 11.40% | 8.50% | 賽米控 |
| 4 | 東芝 | 賽米控 | ON Semi | 賽米控 | 意法半導體 | 賽米控 | 三菱電機 | 7.40% |
| 市場份額 | 6.10% | 7.30% | 7.70% | 5.8% | 8.00% | 6.60% | 6.50% | 4.30% |
| 5 | 三菱電機 | 威科電子 | 東芝 | 威科電子 | ON Semi | 威科電子 | ON Semi | 4.10% |
| 市場份額 | 5.70% | 3.50% | 5.50% | 3.30% | 6.00% | 3.60% | 6.50% | 3.30% |
| 6 | 意法半導體 | 日立 | 意法半導體 | 斯達半導 | 東芝 | 斯達半導 | 東芝 | 日立 |
| 市場份額 | 5.40% | 3.10% | 4.60% | 2.80% | 4.50% | 3.00% | 3.80% | 三菱電機 |
| 7 | 力特 | 丹佛斯 | 力特 | 日立 | 力特 | 博世 | 力特 | 斯達半導 |
| 市場份額 | 4.70% | 2.50% | 4.20% | 2.70% | 4.20% | 2.60% | 3.80% | 時代電氣 |
| 8 | 瑞薩電子 | 斯達半導 | 瑞薩電子 | 丹佛斯 | 士蘭微 | 丹佛斯 | 士蘭微 | 威科電子 |
| 市場份額 | 4.50% | 2.50% | 3.80% | 2.50% | 3.50% | 2.60% | 3.40% | 2.20% |
| 9 | 美格納 | 東芝 | 美格納 | 日立ABB | 瑞薩電子 | 日立 | Rohm | 安森美 |
| 市場份額 | 3.70% | 2.40% | 3.10% | 2.30% | 3.50% | 2.60% | 3.10% | 2.20% |
| 10 | 士蘭微 | ABB | 士蘭微 | 博世 | 美格納 | 時代電氣 | 瑞薩電子 | 東芝 |
| 市場份額 | 2.20% | 1.80% | 2.60% | 2.10% | 3.10% | 2.00% | 2.80% | 1.70% |
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