我國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)自主可控需求迫切 政策持續(xù)推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化

一、存儲(chǔ)芯片下游需求旺盛，芯片產(chǎn)品價(jià)格波動(dòng)較大

隨著5G、人工智能（AI）、車(chē)聯(lián)網(wǎng)和云計(jì)算等新一代信息技術(shù)的快速迭代，海量數(shù)據(jù)的生成與處理已成為常態(tài)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)正經(jīng)歷著前所未有的井噴式增長(zhǎng)。

高性能存儲(chǔ)芯片包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）、閃存（NAND Flash）、高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）等，具有高讀寫(xiě)速度、大容量、低功耗、高可靠性、強(qiáng)穩(wěn)定性、數(shù)據(jù)傳輸快速等特點(diǎn)，能夠滿足智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備、數(shù)據(jù)中心與云計(jì)算、人工智能（AI）與機(jī)器學(xué)習(xí)、汽車(chē)電子、安防監(jiān)控、航空航天等對(duì)存儲(chǔ)有高要求應(yīng)用領(lǐng)域的需求。

根據(jù)觀研報(bào)告網(wǎng)發(fā)布的《中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析與投資前景研究報(bào)告（2025-2032年）》顯示，隨著AI大模型和AI服務(wù)器的持續(xù)進(jìn)化，市場(chǎng)對(duì)高性能存儲(chǔ)芯片的需求將達(dá)到前所未有的高度。同時(shí)，隨著手機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)等計(jì)算終端對(duì)大模型的積極采納，消費(fèi)電子產(chǎn)品對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求也將持續(xù)增長(zhǎng)。

不同存儲(chǔ)芯片特點(diǎn)及應(yīng)用場(chǎng)景

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由于內(nèi)核存儲(chǔ)器、主存儲(chǔ)器、外部存儲(chǔ)器之間均存在較大的讀寫(xiě)速度差距,形成了制約整個(gè)系統(tǒng)性能的“存儲(chǔ)墻”。而隨著處理器速度和核數(shù)的持續(xù)增長(zhǎng),存儲(chǔ)墻對(duì)系統(tǒng)性能的限制愈發(fā)明顯。同時(shí)，物聯(lián)網(wǎng)、智能傳感器、人工智能等特定應(yīng)用的發(fā)展也對(duì)極低功耗的高性能存儲(chǔ)器提出了新的產(chǎn)業(yè)化需求。新型存儲(chǔ)器采用與現(xiàn)有DRAM和NAND Flash等成熟存儲(chǔ)器截然不同的存儲(chǔ)原理，能夠滿足未來(lái)更加多樣化的存儲(chǔ)需求。

2024年存儲(chǔ)價(jià)格呈現(xiàn)波動(dòng)態(tài)勢(shì)，存儲(chǔ)原廠營(yíng)收規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)，為保持盈利勢(shì)頭各大存儲(chǔ)原廠謹(jǐn)慎應(yīng)對(duì)，開(kāi)啟新一輪減產(chǎn)。美光2024年12月已宣布NAND晶圓將減產(chǎn)10%；2025年1月，三星的西安工廠NAND產(chǎn)能減少超過(guò)10%，韓國(guó)國(guó)內(nèi)的產(chǎn)線也在做調(diào)整，整體產(chǎn)能處在下調(diào)階段；SK海力士計(jì)劃在2025年上半年將NAND產(chǎn)量減少10%；鎧俠同樣在2024年12月就開(kāi)始實(shí)施減產(chǎn)。原廠堅(jiān)決的減產(chǎn)措施，幫助市場(chǎng)快速建立新的供需平衡，存儲(chǔ)價(jià)格快速企穩(wěn)，并為未來(lái)價(jià)格反彈奠定基礎(chǔ)。

（一）NAND Flash存儲(chǔ)芯片

NAND Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。具有容量較大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越多的使用，廣泛應(yīng)用于嵌入式產(chǎn)品中，包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的USB閃存盤(pán)等。

截止2025年5月16日，市場(chǎng)1Tb TLC產(chǎn)品價(jià)格較1Tb QLC高12.87%，其中，1Tb QLC產(chǎn)品價(jià)格較2025年1月1日同比上漲7.45%，整體漲幅高于1Tb TLC產(chǎn)品，同期1Tb TLC產(chǎn)品價(jià)格漲幅約1.79%

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整體隨著服務(wù)器終端庫(kù)存調(diào)整的逐步完成以及AI對(duì)大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求的強(qiáng)勁推動(dòng)，呈增長(zhǎng)趨勢(shì)。各大廠商通過(guò)研發(fā)3D NAND，提升閃存的存儲(chǔ)密度，如三星集團(tuán)、美光科技有限公司等國(guó)際企業(yè)都在積極探索更高層數(shù)的堆疊技術(shù)。

傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域需求穩(wěn)定，如固態(tài)硬盤(pán)（SSD）、USB閃存盤(pán)、存儲(chǔ)卡、智能手機(jī)、平板電腦等，此外，智能手機(jī)的存儲(chǔ)容量不斷提升，對(duì) NAND Flash 的需求也在增加；新興應(yīng)用領(lǐng)域帶來(lái)新機(jī)遇，AI、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子等新興應(yīng)用領(lǐng)域?qū)AND Flash的需求在不斷增長(zhǎng)，為NAND Flash帶來(lái)了新的市場(chǎng)機(jī)遇。

（二）DRAM存儲(chǔ)芯片

DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，與大部分的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）一樣，DRAM中的數(shù)據(jù)會(huì)在電力切斷后很快消失，因此它屬于一種易失性存儲(chǔ)器設(shè)備。受消費(fèi)電子市場(chǎng)需求變化、宏觀經(jīng)濟(jì)形勢(shì)等因素影響，價(jià)格波動(dòng)仍將是DRAM行業(yè)面臨的一個(gè)挑戰(zhàn)。截止2025年5月13日，DDR4 16Gb 3200和DDR4 8Gb 3200兩類(lèi)產(chǎn)品價(jià)格較2025年1與1日同比上漲36.36%和39.13%，漲幅明顯。

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從長(zhǎng)期來(lái)看，隨著云計(jì)算、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的不斷發(fā)展，DRAM市場(chǎng)規(guī)模有望繼續(xù)增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2031年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1263.2億美元。此外，由于智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)以及自動(dòng)駕駛的發(fā)展，車(chē)用DRAM將創(chuàng)造新增量。隨著制程工藝的不斷縮小，DRAM的制造難度越來(lái)越大，因此從2D架構(gòu)轉(zhuǎn)向3D架構(gòu)成為未來(lái)發(fā)展的主要方向之一。

二、全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)高度壟斷，本土存儲(chǔ)芯片持續(xù)發(fā)力

存儲(chǔ)芯片行業(yè)高度壟斷，寡頭占全球市場(chǎng)份額90%以上。存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的技術(shù)、專(zhuān)利、人才幾乎都被幾家寡頭企業(yè)掌握。以DRAM產(chǎn)業(yè)為例，在全球發(fā)展了幾十年，制程技術(shù)持續(xù)進(jìn)步，在架構(gòu)、制程、設(shè)計(jì)、接口、測(cè)試、系統(tǒng)等方面存在很多專(zhuān)利，且絕大部分控制在三星、海力士和美光手中。新進(jìn)者是否擁有合規(guī)的技術(shù)來(lái)源以及自主創(chuàng)新能力成為立足發(fā)展的關(guān)鍵。

存儲(chǔ)芯片制造業(yè)是個(gè)重資產(chǎn)行業(yè)，前期研發(fā)需要耗費(fèi)大量的資金，設(shè)備折舊快，需要持續(xù)性投入、長(zhǎng)遠(yuǎn)穩(wěn)定的政策和大量的技術(shù)積累，往往也需要經(jīng)歷多年的虧損才能盈利。而且既得利益的寡頭企業(yè)可以通過(guò)操縱市場(chǎng)價(jià)格、脅迫客戶(hù)簽署排他性條款等手段來(lái)阻止行業(yè)的新進(jìn)入者。

在DRAM和NAND Flash兩種存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)三星、海力士和美光在這兩個(gè)細(xì)分市場(chǎng)中占據(jù)主導(dǎo)地位，全球市場(chǎng)份額分別達(dá)到44%、28%和23%。

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在國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大力扶持下，我國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)呈現(xiàn)出蓬勃發(fā)展的態(tài)勢(shì)，國(guó)內(nèi)本土存儲(chǔ)芯片公司主要包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、兆易創(chuàng)新、德明利、江波龍、佰維存儲(chǔ)和深科技。

行業(yè)地位來(lái)看，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是中國(guó)最大3D NAND芯片制造商,是唯一能與三星、鎧俠等大廠競(jìng)爭(zhēng)的陸企；兆易創(chuàng)新是主要產(chǎn)品為閃存芯片，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)；深科技是國(guó)內(nèi)最大的獨(dú)立DRAM內(nèi)存芯片封測(cè)企業(yè)，全球第二大硬盤(pán)磁頭制造商；德明利是在全球存儲(chǔ)卡、存儲(chǔ)盤(pán)等移動(dòng)存儲(chǔ)領(lǐng)域擁有一定市場(chǎng)份額。

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)

名稱(chēng)	品牌	產(chǎn)品簡(jiǎn)介
長(zhǎng)江存儲(chǔ)		2017年10月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)自主研發(fā)和國(guó)際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計(jì)制造了中國(guó)首款3D NAND閃存。2019年9月，搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主創(chuàng)新 Xtacking®架構(gòu)的第二代TLC 3D NAND閃存正式量產(chǎn)。2020年4月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布第三代TLC/QLC兩款產(chǎn)品研發(fā)成功，其中X2-6070型號(hào)作為首款第三代QLC閃存，擁有發(fā)布之時(shí)業(yè)界最高的I/O速度，最高的存儲(chǔ)密度和最高的單顆容量。長(zhǎng)江存儲(chǔ)基于晶棧Xtacking 4.0架構(gòu)推出了用于Al算力中心的全新PCle 5.0企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)PE511，該產(chǎn)品性能相較上一代Gen4產(chǎn)品提升100%，新增16TB和32TB容量，DWPD(每日全盤(pán)寫(xiě)入次數(shù))可擦寫(xiě)次數(shù)提升20%。PE511預(yù)計(jì)將于2025年發(fā)布并量產(chǎn)進(jìn)一步滿足AI數(shù)據(jù)中心對(duì)大容量、高性能存儲(chǔ)的需求。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)		2023年長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)推出了最新LPDDR5 DRAM存儲(chǔ)芯片，成為國(guó)內(nèi)首家推出自主研發(fā)生產(chǎn)的LPDDR5產(chǎn)品的品牌，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)市場(chǎng)零的突破。與上一代LPDDR4相比，長(zhǎng)鑫LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%，分別達(dá)12Gb和6400Mbps，同時(shí)功耗降低30%。從產(chǎn)品應(yīng)用和市場(chǎng)空間上看，LPDDR5芯片能夠?yàn)槠浯钶d的移動(dòng)端電子設(shè)備帶來(lái)更快的速度體驗(yàn)和更低的功耗消耗。
兆易創(chuàng)新		兆易創(chuàng)新在2013年推出業(yè)界第一顆SPI NAND Flash，經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，在消費(fèi)電子、工業(yè)、汽車(chē)電子等領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了全品類(lèi)的產(chǎn)品覆蓋。兆易創(chuàng)新的SPI NAND Flash內(nèi)置可開(kāi)關(guān)ECC模塊，支持QSPI接口，具有高速，高可靠性，低功耗的特點(diǎn)。相較于傳統(tǒng)并行接口，具有封裝體積小，引腳少，易于使用的優(yōu)勢(shì)，并且可以與SPI NOR Flash共用Layout設(shè)計(jì)，易于切換。自推出以來(lái)就得到了用戶(hù)的廣泛好評(píng)，是嵌入式應(yīng)用代碼數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的重要解決方案2024年，公司根據(jù)市場(chǎng)需求及產(chǎn)品技術(shù)迭代變化，將DRAM募集資金項(xiàng)目的用途由原計(jì)劃研發(fā)四種產(chǎn)品DDR3、DDR4、LPDDR3和LPDDR4調(diào)整為DDR3、DDR4、LPDDR4和LPDDR5，其中，LPDDR4預(yù)計(jì)在2025年下半年貢獻(xiàn)收入。
德明利		2024年公司面向高性能應(yīng)用領(lǐng)域，推出了M.2 2280 NVMe PCIe 5.0 x4 SSD，順序讀寫(xiě)性能達(dá)到14100/12200MB/s，容量規(guī)格設(shè)定為 1TB-8TB，顯著降低數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t，內(nèi)置智能電源管理模塊，確保在高性能運(yùn)行的同時(shí)保持低功耗和高穩(wěn)定性，廣泛支持AI+技術(shù)，滿足大數(shù)據(jù)、云計(jì)算和高性能計(jì)算的存儲(chǔ)需求。
江波龍		2024年江波龍率先實(shí)現(xiàn)了基于QLC閃存顆粒的eMMC量產(chǎn)出貨，QLCeMMC以其大容量及價(jià)格優(yōu)勢(shì)為公司保持eMMC的領(lǐng)先地位提供新的動(dòng)。2023年底開(kāi)始公司已量產(chǎn)LPDDR5產(chǎn)品，基于未來(lái)對(duì)更高數(shù)據(jù)傳輸速率的需求，LPDDR5X產(chǎn)品已量產(chǎn)，且在客戶(hù)端實(shí)現(xiàn)批量的交付。公司的LPDDR產(chǎn)品已獲得聯(lián)發(fā)科技、紫光展銳及晶晨半導(dǎo)體等主流平臺(tái)的認(rèn)證，而且產(chǎn)品經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的可靠性測(cè)試，以確保卓越的性能及耐用性。
佰維存儲(chǔ)		佰維存儲(chǔ)ePOP等代表性存儲(chǔ)產(chǎn)品具有低功耗、快響應(yīng)、輕薄小巧等優(yōu)勢(shì)，產(chǎn)品表現(xiàn)出色，已進(jìn)入Meta、Rokid、雷鳥(niǎo)創(chuàng)新等國(guó)內(nèi)外知名AI/AR眼鏡廠商，Google、小天才、小米等國(guó)內(nèi)外知名智能穿戴廠商供應(yīng)鏈體系。2024年智能穿戴存儲(chǔ)產(chǎn)品收入超8億元，同比大幅增長(zhǎng)。2025年隨著AI眼鏡的放量，公司與Meta等重點(diǎn)客戶(hù)的合作不斷深入，將推動(dòng)公司智能穿戴存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的持續(xù)增長(zhǎng)。其中，公司為Ray-Ban Meta提供 ROM+RAM存儲(chǔ)器芯片，是國(guó)內(nèi)的主力供應(yīng)商，公司在2024年榮獲Meta Reality Labs“技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)”佰維存儲(chǔ)積極布局芯片研發(fā)與設(shè)計(jì)領(lǐng)域，第一款國(guó)產(chǎn)自研主控eMMC（SP1800）已成功量產(chǎn)，性能優(yōu)異，目前已送樣國(guó)內(nèi)頭部客戶(hù)。；在手機(jī)應(yīng)用方面，SP1800支持TLC及QLC顆粒，迎合手機(jī)存儲(chǔ)QLC替代趨勢(shì)，其解決方案將于2025年量產(chǎn)。
深科技		深科技在半導(dǎo)體封測(cè)產(chǎn)品包括 DRAM、NAND FLASH以及嵌入式存儲(chǔ)芯片，具體有雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DDR3、DDR4、DDR5）、低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（LPDDR3、LPDDR4、LPDDR5）、符合內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格的低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（eMCP4）等。2024年公司規(guī)劃布局的 Bumping（凸塊）及RDL（再布線層）項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；超薄存儲(chǔ)芯片PoPt封裝技術(shù)（Package on Package top，疊層封裝技術(shù)）實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；16層堆疊技術(shù)和 uMCP SiP（超小型多芯片封裝系統(tǒng)級(jí)）封裝技術(shù)具備量產(chǎn)能力，同時(shí)創(chuàng)新地進(jìn)行 strip FO（條帶式扇出型）封裝技術(shù)的研發(fā)；優(yōu)化多項(xiàng)仿真技術(shù)系統(tǒng)，提升研發(fā)效率；推動(dòng)封測(cè)材料多元化，多款材料通過(guò)測(cè)試驗(yàn)證，并導(dǎo)入量產(chǎn)。

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三、本土存儲(chǔ)芯片供不應(yīng)求，自給率處于較低的水平

存儲(chǔ)芯片作為信息的核心載體，其自主化程度與自給率嚴(yán)重關(guān)乎國(guó)家安全。2023年10月，工信部等六部門(mén)聯(lián)合印發(fā)《算力基礎(chǔ)設(shè)施高質(zhì)量發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃》，強(qiáng)調(diào)“持續(xù)提升存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)能力，鼓勵(lì)存儲(chǔ)產(chǎn)品制造企業(yè)持續(xù)提升關(guān)鍵存儲(chǔ)部件等自主研發(fā)制造水平”，以加快存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程；2024年5月，中央網(wǎng)信辦、市場(chǎng)監(jiān)管總局、工信部聯(lián)合印發(fā)的《信息化標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)行動(dòng)計(jì)劃（2024—2027年）》，明確提出加大先進(jìn)計(jì)算芯片、新型存儲(chǔ)芯片關(guān)鍵技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)攻關(guān)；2025年2月，工信部組織開(kāi)展算力強(qiáng)基揭榜行動(dòng)，面向算力網(wǎng)絡(luò)的計(jì)算、存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)、應(yīng)用、綠色、安全等六大重點(diǎn)方向，聚焦安全監(jiān)測(cè)與國(guó)產(chǎn)芯片創(chuàng)新，突破存儲(chǔ)系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)。

2024年，中國(guó)進(jìn)口芯片總量達(dá)到5492億塊，同比增長(zhǎng)14.51%，進(jìn)口金額2.8萬(wàn)億元人民幣，同比增長(zhǎng)10.36%。近年來(lái)，我國(guó)出口芯片的數(shù)量和金額同樣實(shí)現(xiàn)了大幅增長(zhǎng)，但貿(mào)易逆差仍高達(dá)2000多億美元。

2019-2024年中國(guó)用作存儲(chǔ)器的多元件集成電路產(chǎn)品進(jìn)出口情況（單位：萬(wàn)個(gè)）

資料來(lái)源：海關(guān)總署，觀研天下數(shù)據(jù)中心整理

2024年中國(guó)進(jìn)口芯片中處理器及控制器占比約50%，其中，存儲(chǔ)芯片占比約25%，這兩大類(lèi)芯片的高度依賴(lài)進(jìn)口，不僅意味著我國(guó)在關(guān)鍵技術(shù)和產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)上存在短板，也直接影響了國(guó)家的信息安全和產(chǎn)業(yè)安全。

資料來(lái)源：海關(guān)總署，觀研天下數(shù)據(jù)中心整理（cyy）